Jag blev till slut sugen på att testa kondensatorminne "på riktigt" så
jag ritade lite och sen så implementerade :-)
Funktionen på det här är logiskt sett mycket lika ett DRAM faktiskt.
Lite annan timing bara :-)
Sen krävs rätt så täta refreshintervall, se nedan.
Testbygget består av tre delar:
- Astabil multivibrator med utpuls låg nivå 1us och variabel tid för hög
nivå.
- Selektlogik;
https://www.ludd.ltu.se/~ragge/vtc/171119/cap-storage-row-lgc-dwg.png
- Skrivlogik;
https://www.ludd.ltu.se/~ragge/vtc/171119/cap-storage-rw-logic-dwg.png
- Minnesenheter,
https://www.ludd.ltu.se/~ragge/vtc/171119/cap-storage-bit-cap-dwg.png
Principen är så att när man väljer en rad och får en puls ut så kommer
rw-logiken att känna av det och direkt mata tillbaka den signalen, så
att man får refresh i samma puls. Det är en rörvariant av op-amp som
fixar det, se U1 och U2 i skrivlogiken.
Att skriva en etta eller nolla gör man genom att styra vad som händer
vid en refresh-puls.
När man väljer en rad så aktiverar man två EL90 som jobbar "mot
varandra" via dioderna, se selektlogiken och minnesenheterna.
Då får man en puls ut till op-ampen som laddar upp kondingen igen.
Enkelt :-)
Hela enheten blev rätt bra förutom att den är rätt känslig på
referensspänningen (+20V till U2 i skrivlogiken).
Under ca 15V så kommer den att alltid läsa en etta på grund kvaliten på
katodföljarna och över +20 så funkar det inte med nån längre tid mellan
refresherna.
Jag testade med lite olika dioder för att se hur länge som kondensatorn
höll en etta:
EAA91: >500us (typ ideal diod, bara cap leakage)
1N4148: >500us (för referens, <25nA läckström)
1N34: 20us (över 10V så blir läckströmmen många uA)
2*1N34: 100us (2 seriekopplade för att minska spänning)
3*1N34 125us
Det här är nu uppmätt med 1N34, vilket var den första vanliga
kommersiella dioden (Sylvania 1946).
1N67 och 1N100 hade bara en tiondel i läckström, men jag hade inga såna
att testa med. 1N67 satt förresten i BESK.
Kommentarer?
-- Ragge
