Jag blev till slut sugen på att testa kondensatorminne "på riktigt" så jag ritade lite och sen så implementerade :-) Funktionen på det här är logiskt sett mycket lika ett DRAM faktiskt. Lite annan timing bara :-) Sen krävs rätt så täta refreshintervall, se nedan. Testbygget består av tre delar: - Astabil multivibrator med utpuls låg nivå 1us och variabel tid för hög nivå. - Selektlogik; https://www.ludd.ltu.se/~ragge/vtc/171119/cap-storage-row-lgc-dwg.png - Skrivlogik; https://www.ludd.ltu.se/~ragge/vtc/171119/cap-storage-rw-logic-dwg.png - Minnesenheter, https://www.ludd.ltu.se/~ragge/vtc/171119/cap-storage-bit-cap-dwg.png Principen är så att när man väljer en rad och får en puls ut så kommer rw-logiken att känna av det och direkt mata tillbaka den signalen, så att man får refresh i samma puls. Det är en rörvariant av op-amp som fixar det, se U1 och U2 i skrivlogiken. Att skriva en etta eller nolla gör man genom att styra vad som händer vid en refresh-puls. När man väljer en rad så aktiverar man två EL90 som jobbar "mot varandra" via dioderna, se selektlogiken och minnesenheterna. Då får man en puls ut till op-ampen som laddar upp kondingen igen. Enkelt :-) Hela enheten blev rätt bra förutom att den är rätt känslig på referensspänningen (+20V till U2 i skrivlogiken). Under ca 15V så kommer den att alltid läsa en etta på grund kvaliten på katodföljarna och över +20 så funkar det inte med nån längre tid mellan refresherna. Jag testade med lite olika dioder för att se hur länge som kondensatorn höll en etta: EAA91: >500us (typ ideal diod, bara cap leakage) 1N4148: >500us (för referens, <25nA läckström) 1N34: 20us (över 10V så blir läckströmmen många uA) 2*1N34: 100us (2 seriekopplade för att minska spänning) 3*1N34 125us Det här är nu uppmätt med 1N34, vilket var den första vanliga kommersiella dioden (Sylvania 1946). 1N67 och 1N100 hade bara en tiondel i läckström, men jag hade inga såna att testa med. 1N67 satt förresten i BESK. Kommentarer? -- Ragge